R8C フラッシュメモリバイトプログラム時間

R8C/3MKでデータ用のフラッシュメモリのバイトプログラム時間が
データシートによると最大1500μsとなっています。
標準値だと書込み回数1000回以下だと160μsで1000回超だと300μsという記載がありました。
標準値と最大値でかなりの差がありますが、これは部品としてのバラツキなのでしょうか?
使い方で改善できるのでしょうか?
なお、電源電圧5V、クロックは16MHzで使う予定です。

また、フラッシュメモリプログラム中、あるいはイレース中に
電源がきれた場合、結果は保証されないと思いますが、
MCUに機能的は破損が起こることはあるのでしょうか?
  • hany3160さん

    一般的にフラッシュメモリは書きこみを繰り返しているうちに、だんだんと消去しにくく、書きこみしにくくなります。
    これはどうしようもありません。

    「電源の落ち方やタイミングによってはチップが起動できなくなるリスクがある」と思っていて差し支えないと思います。
    私は今まで、そういうことになった経験はありませんけれどもクリティカルな操作をしている時に落ちるとマズいと思います。