VDS VCE呼び方

MOSFET（電圧駆動）とバイポーラトランジスタ（電流駆動）は、同じトランスジタ（確かトランスレジスターの略）でも、構造まったくが異なるデバイスのため、端子の呼び名を分けなくてはなりません。なぜこの名前に決めてたについては、分かりませんが、電子機械工業会等でこれらのデバイスができたときに決められた思います。

MOSもジャンクションもどちらもFET（電界効果トランジスタ）
でトランジスタですが、バイポーラトランジスタはベースからの流入電流によるコレクタ電流の制御、電流制御電流源であったのに対し、FETはゲート・ソース間の電圧による電圧制御電流源であるため、これはおんなじ名前ではまずいと考えられたのではないでしょうか？　どなたが命名されたのかわかりませんがーーー。

ブレンドさん　ご説明ありがとうございます。

どなたが命名したかわかりませんが、トランジスタに関する本をみて、トランジスタの発明の歴史をみると、トランジスタが生まれた発祥地のアメリカのベル研究所（MOS電界効果トランジスタも含め）の人たちによって決められたものと推測します。
それをみると、ショックレーをリーダーとした博士たちが、
点接触トランジスタを、１９４７年１２月２３日に公式立会人に公開、この発表を見たベル研究所首脳陣は、まず、名前をつけることになった。・・・略・・抵抗を変えるという意味での「トランス・レジスター」これを縮めて「トランジスタ」を命名された、とあります。これから半年以上の間、極秘扱いで、一般公開されるのは１９４８年７月初になりますが、この半年以上の間に、特許申請手続きをしたとあり、この間に、端子名も命名されたのではないかな？　また、トランジスタの有料公開が、１９５２年４月にトランジスタ産業に参入したい企業に対し実施、TI社など２７社参加されたともあります。
以上は、「NHK電子立国　日本の自叙伝(上)」１９９１年８月２０日、著者：相田　洋による。

　各端子を意味を調べると以下のように受け取れます。

トランジスタ：
　コレクタ(Collector)：収集する、集める
　エミッタ(Emitter)：Emitt　出す、発する
　ベース（Base）：基盤(発明当時ウエハ基盤がBase）

MOS電界効果トランジスタ
　ドレイン(Drain)：排水する(電流の排水口)
　ソース(Siurce)：水源(電子の供給源)
　ゲート(Gate)：水門(電子・電流を制御)

　以上です。