VDS VCE呼び方

ブレンドさん　ご説明ありがとうございます。

どなたが命名したかわかりませんが、トランジスタに関する本をみて、トランジスタの発明の歴史をみると、トランジスタが生まれた発祥地のアメリカのベル研究所（MOS電界効果トランジスタも含め）の人たちによって決められたものと推測します。
それをみると、ショックレーをリーダーとした博士たちが、
点接触トランジスタを、１９４７年１２月２３日に公式立会人に公開、この発表を見たベル研究所首脳陣は、まず、名前をつけることになった。・・・略・・抵抗を変えるという意味での「トランス・レジスター」これを縮めて「トランジスタ」を命名された、とあります。これから半年以上の間、極秘扱いで、一般公開されるのは１９４８年７月初になりますが、この半年以上の間に、特許申請手続きをしたとあり、この間に、端子名も命名されたのではないかな？　また、トランジスタの有料公開が、１９５２年４月にトランジスタ産業に参入したい企業に対し実施、TI社など２７社参加されたともあります。
以上は、「NHK電子立国　日本の自叙伝(上)」１９９１年８月２０日、著者：相田　洋による。

　各端子を意味を調べると以下のように受け取れます。

トランジスタ：
　コレクタ(Collector)：収集する、集める
　エミッタ(Emitter)：Emitt　出す、発する
　ベース（Base）：基盤(発明当時ウエハ基盤がBase）

MOS電界効果トランジスタ
　ドレイン(Drain)：排水する(電流の排水口)
　ソース(Siurce)：水源(電子の供給源)
　ゲート(Gate)：水門(電子・電流を制御)

　以上です。

ブレンドさん　ご説明ありがとうございます。

どなたが命名したかわかりませんが、トランジスタに関する本をみて、トランジスタの発明の歴史をみると、トランジスタが生まれた発祥地のアメリカのベル研究所（MOS電界効果トランジスタも含め）の人たちによって決められたものと推測します。
それをみると、ショックレーをリーダーとした博士たちが、
点接触トランジスタを、１９４７年１２月２３日に公式立会人に公開、この発表を見たベル研究所首脳陣は、まず、名前をつけることになった。・・・略・・抵抗を変えるという意味での「トランス・レジスター」これを縮めて「トランジスタ」を命名された、とあります。これから半年以上の間、極秘扱いで、一般公開されるのは１９４８年７月初になりますが、この半年以上の間に、特許申請手続きをしたとあり、この間に、端子名も命名されたのではないかな？　また、トランジスタの有料公開が、１９５２年４月にトランジスタ産業に参入したい企業に対し実施、TI社など２７社参加されたともあります。
以上は、「NHK電子立国　日本の自叙伝(上)」１９９１年８月２０日、著者：相田　洋による。

　各端子を意味を調べると以下のように受け取れます。

トランジスタ：
　コレクタ(Collector)：収集する、集める
　エミッタ(Emitter)：Emitt　出す、発する
　ベース（Base）：基盤(発明当時ウエハ基盤がBase）

MOS電界効果トランジスタ
　ドレイン(Drain)：排水する(電流の排水口)
　ソース(Siurce)：水源(電子の供給源)
　ゲート(Gate)：水門(電子・電流を制御)

　以上です。