PowerMOSFETとIGBTの棲み分け

ご質問の件、世界標準は、②(縦軸：耐圧、横軸：電流)ですが、パワーMOSFETとIGBTの違いは、動作周波数と耐圧ですので、横軸：耐圧、縦軸：動作周波数で示せば、良く棲み分けができると思います。ご存知の通り、MOSFETは、数百KHｚ(縦型構造)～数MHｚ以上(横型)の動作が、可能ですが、IGBTは、現時点では、100KHｚ以下が適当な用途と理解してます。加えてIGBTは、高耐圧・大電流デバイスのためインバータ用途の600V\,1200Vでは最適といえます。(低耐圧ではトレンチMOSに比べ劣りますが)
IGBTも昨今、ＭＯＳＦＥＴと同様に用途別に、最適化されているシリーズが製品化されていると思います。インバータ用であれば、一般的には、動作周波数ｆは、数十KHzであるため、低VCE(sat)で高負荷短絡耐量のデバイスを選定した方が宜しいかと思います。電源用ＰＦＣ回路のように効率優先の用途では、多少VCE(sat)は犠牲にしても、スイッチング速度の速い製品を選択すべきでしょう。高速性と高破壊耐量、高速性と低VCE(sat)は、トレイドオフ関係になります。

ごめんなさい、世界標準は、②(縦軸：耐圧、横軸：電流)は、縦軸：電流Id\,Ic、横軸：耐圧VDS\,VCEでした。
縦軸：電流はオン抵抗RonやVCE(sat)の指標、横軸：耐圧は、用途Application・動作条件から選定される指標になります。

一寸法師さん

　♪『指に足りない一寸法師、
　　小さな体に大きな望み
　　お椀の舟に箸の櫂
　　京にはるばるのぼり行く』
　
　ご回答の御礼に一曲歌わせて頂きました。

　PowerMOSFETとIGBTの棲み分け表記の件
　良く分かりました。有難うございます。

　先日、秋葉原でPchとNchのPowerMOSFETを
　購入して、Hブリッジの実験をしていますが、
　次はIGBTを使ってみたいです。これは
　大容量のモータ制御が目的です。