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PowerMOSFETとIGBTの棲み分け

魚返如水
インバータ制御用にパワーデバイスの勉強を
しています。

　PowerMOSFETとIGBTの棲み分けについて

　①　横軸：スイッチング速度
　　　縦軸：電流容量
　　の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
　　エリアを表記

　②　横軸：耐圧
　　　縦軸：電流容量
　　の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
　　エリアを表記

　といった図表を目にしましたが、この２つの
表記方法がこの世界では一般的なのでしょうか？
どなたかご存知の方いらっしゃいましたら、
ご教示お願い致します。
Parents
  • 一寸法師さん

    　♪『指に足りない一寸法師、
    　　小さな体に大きな望み
    　　お椀の舟に箸の櫂
    　　京にはるばるのぼり行く』
    　
    　ご回答の御礼に一曲歌わせて頂きました。

    　PowerMOSFETとIGBTの棲み分け表記の件
    　良く分かりました。有難うございます。

    　先日、秋葉原でPchとNchのPowerMOSFETを
    　購入して、Hブリッジの実験をしていますが、
    　次はIGBTを使ってみたいです。これは
    　大容量のモータ制御が目的です。
Reply
  • 一寸法師さん

    　♪『指に足りない一寸法師、
    　　小さな体に大きな望み
    　　お椀の舟に箸の櫂
    　　京にはるばるのぼり行く』
    　
    　ご回答の御礼に一曲歌わせて頂きました。

    　PowerMOSFETとIGBTの棲み分け表記の件
    　良く分かりました。有難うございます。

    　先日、秋葉原でPchとNchのPowerMOSFETを
    　購入して、Hブリッジの実験をしていますが、
    　次はIGBTを使ってみたいです。これは
    　大容量のモータ制御が目的です。
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