あまり経験の無いパワーMOS FETの故障に関わる事になりました。
私は、MOS FETにおいてアバランシェ降伏前にパンチスルーによるブレークダウンが発生すると思っております。また、ドレイン・ソース間電圧の絶対最大定格はパンチスルーで決まるとも思ってます。しかし、ルネサスのパワーMOS FETアプリケーションノート(RJJ05G0003-1000)では、ゲート・ソースを短絡して、ドレイン・ソース間に過電圧をかけるとブレークダウンによりドレイン・ソースに大電流が流れてトランジスタが破壊されることをアバランシェ破壊としています。パワーMOS FETはアバランシェ降伏によってブレークダウンすると読み取れます。アプリケーションノートにはパンチスルーやリーチスルーの言葉も出てきません。
疑問は、パワーMOS FETにおいて、１．ゲート・ソースを短絡して、ドレイン・ソース間に過電圧をかけた時にパンチスルーは発生せずにアバランシェ降伏するのでしょうか？２．パンチスルーが発生しないとすれば、パワーMOS FETの絶対最大定格はアバランシェ降伏で決まると考えて良いのでしょうか？
皆様からのご教授をよろしくお願いします。