パワーデバイスについてご質問

今回試験的に10Aほどの電源を設計しているのですが
実稼働では1セルで150Aなのです
普通こういう場合は(容量大)FET/IGBTなんでしょうか?
トランジスターなんでしょうか?
大容量インバータなどは
特殊トランジスターしか聞いたことがないのですが
現状トランジスターも使用されていると思うのですが
大容量の場合はどちらが適しているのでしょうか?
FETの場合はドライブ容量が
小さくて済むような気もするのですが。

Parents
  • IHは加熱コイルになります。(Cを並列に接続して共振させる)
    薄いフイルムベルト上に発熱層を蒸着(?忘れた)物を回転させ、加熱コイルから発生した磁界をフイルムあてることで渦電流を発生させて発熱させています。
    数秒で200~300℃程度まで上昇するので発熱フイルム回転させないと燃えます。(その前に温度ヒューズが切れるので大丈夫ですが)

    IH加熱をコピー機定着器に応用はじめたのは今経営危機にあるT社(調理器IH技術が社内で保有していた)です。
    この辺の技術は電子写真業界(C、R、FX、KM社その他)の電子写真学会の論文で発表(当然発表前に特許申請済)している良く知られた内容で心配はありません。
    今は電子写真業界を離れ自動車業界で働いているので最新の状況は分からないのですが・・・・・

    SWデバイスについてはFETもIGBTも私が設計していた当時(6年前)から性能も良くなっているようです。

    当時京都の方のR社さんがシリコンカーバイトSic製品を出したばかりで、問い合わせをしましたが、歩留まりが悪く1個1万円を切るくらいのお断り回答でした。(今は千円切る位になってるのかな?)

    IGBTとFET何社からサンプル入手して検討しましたが、IH定着器アプリケーションではIGBTのロスが少なかった(ヒートシンクの熱設計すると差が歴然と出た)のとコスト的にもそれ程大きな差が無かったのでIGBTを採用しました。(ちなみにルネサスさんのところで叱られるかもしれませんが、ドイツのパワーデバイスに強いメーカさんのIGBTとドライバーを使いました)

    IKUZOさんの開発案件、アプリケーションによって最良デバイス選定は違ってくるのである程度並行に検討していっても良いのかと思います。

    それとSWトランスの方の質問で小容量のSWトランスで実験しようとしてるみたいですが、設計値以上の電流を流す(コア飽和設計充分余裕取っていると思いますが)とコアが飽和してLがショート状態になりSWデバイスが壊れる虞があるので充分注意しながら行って下さい。
Reply
  • IHは加熱コイルになります。(Cを並列に接続して共振させる)
    薄いフイルムベルト上に発熱層を蒸着(?忘れた)物を回転させ、加熱コイルから発生した磁界をフイルムあてることで渦電流を発生させて発熱させています。
    数秒で200~300℃程度まで上昇するので発熱フイルム回転させないと燃えます。(その前に温度ヒューズが切れるので大丈夫ですが)

    IH加熱をコピー機定着器に応用はじめたのは今経営危機にあるT社(調理器IH技術が社内で保有していた)です。
    この辺の技術は電子写真業界(C、R、FX、KM社その他)の電子写真学会の論文で発表(当然発表前に特許申請済)している良く知られた内容で心配はありません。
    今は電子写真業界を離れ自動車業界で働いているので最新の状況は分からないのですが・・・・・

    SWデバイスについてはFETもIGBTも私が設計していた当時(6年前)から性能も良くなっているようです。

    当時京都の方のR社さんがシリコンカーバイトSic製品を出したばかりで、問い合わせをしましたが、歩留まりが悪く1個1万円を切るくらいのお断り回答でした。(今は千円切る位になってるのかな?)

    IGBTとFET何社からサンプル入手して検討しましたが、IH定着器アプリケーションではIGBTのロスが少なかった(ヒートシンクの熱設計すると差が歴然と出た)のとコスト的にもそれ程大きな差が無かったのでIGBTを採用しました。(ちなみにルネサスさんのところで叱られるかもしれませんが、ドイツのパワーデバイスに強いメーカさんのIGBTとドライバーを使いました)

    IKUZOさんの開発案件、アプリケーションによって最良デバイス選定は違ってくるのである程度並行に検討していっても良いのかと思います。

    それとSWトランスの方の質問で小容量のSWトランスで実験しようとしてるみたいですが、設計値以上の電流を流す(コア飽和設計充分余裕取っていると思いますが)とコアが飽和してLがショート状態になりSWデバイスが壊れる虞があるので充分注意しながら行って下さい。
Children
  • kuutaさん
    アドバイス賜りありがとうございます、自動車業界で働いておられたのですね、

    とても励みになります、トランスの件飽和状態で支障が出る場合のことは
    十分注意いたします、定格以上の動作をさせるとトランスの特性が異常になりその結果
    デバイスの破壊に至ることを注意いたします、

    MOSの場合はZVS動作をさせる場合はダイオードとコンデンサーをソースとドレイン間に
    接続するのですが、IGBTの場合はこれがバイポーラトランジスタだと思うのですが
    MOSの場合と同じような考え方でよろしいでしょうか?

    唐突な質問ですが、アドバイスはいただけますか?

  • kuutaさん
    「発熱フイルム」ということですが、フレキシブル基板のようなものにコイルを印刷し、それを多層上にしたものではないですか?