DA14531几种供电模式

我们准备使用DA14531在我们的项目中,已经买了开发板正在评估,在我们的项目中是使用DA14531+传感器(低电压工作范围0.9-1.5V),现在对DA14531的几种供电方式,有点不太明白,请多多支持。

一、对于bypass模式:

现在有两个问题:

  1. 如果采用参考设计,外挂flash启动,AT25DF011的工作电压为1.65-3.6V,是不是VBAT的电压必须达到1.65V才能将flash中的程序拷贝到RAM中运行,拷贝到RAM中后,电压可以降到1.1V?
  2. 如果不外挂flash,直接将程序烧录到OTP中,是不是VBAT的电压必须要达到1.8V,才能将OTP中的程序拷贝到RAM中?此时IO口电压高电平时也是1.8V? 拷贝到RAM中后,电压可以降到1.1V?,此时IO口的电压跟着VBAT也变为1.1V?

二、对于Boost模式:

问题如下:

采用boost模式,供电电压1.2V,如果不外挂flash,直接将程序烧录到OTP中,boot程序将OTP中的程序拷贝到RAM中执行,在程序开始执行的初始阶段,可以通过软件将Vbat_high设置为1.2V?如果是这样,那么从上电--à软件将Vbat_high设置为1.2V,这一段时间IO口的状态能确定吗?高电平的电压是多少?

  • Hi xlyang, 

    感谢提问!针对您的问题,回答如下:

    一、对于bypass模式:

    现在有两个问题:

    1. 如果采用参考设计,外挂flash启动,AT25DF011的工作电压为1.65-3.6V,是不是VBAT的电压必须达到1.65V才能将flash中的程序拷贝到RAM中运行,拷贝到RAM中后,电压可以降到1.1V?
      是的
    2. 如果不外挂flash,直接将程序烧录到OTP中,是不是VBAT的电压必须要达到1.8V,才能将OTP中的程序拷贝到RAM中?此时IO口电压高电平时也是1.8V? 拷贝到RAM中后,电压可以降到1.1V?,此时IO口的电压跟着VBAT也变为1.1V?
      是的

    总的来说,由于在BYPASS模式下,由于DCDC转换器不起作用,因此VBAT_HIGH上的初始电压必须高于程序启动所需的最低电压,比如对于DA14531的OTP来说,启动电压为1.8V,如果客户选择将程序烧录在OTP中(Boot from OTP),那么供电电压的最小值应该为1.8V,才能读取OTP。如果客户选择将程序烧录在宽压范围的FLASH中,那么最低供电电压应该参考其选型的FLASH来决定。如果系统中的电压降至1.75V以下,则必须屏蔽或禁用POR_VBAT_HIGH,以防止上电复位。

    二、对于Boost模式:

    采用boost模式,供电电压1.2V,如果不外挂flash,直接将程序烧录到OTP中,boot程序将OTP中的程序拷贝到RAM中执行,在程序开始执行的初始阶段,可以通过软件将Vbat_high设置为1.2V?如果是这样,那么从上电--à软件将Vbat_high设置为1.2V,这一段时间IO口的状态能确定吗?高电平的电压是多少?

    关于这一点,建议您可以查看以下文档:

    https://www.dialog-semiconductor.com/sites/default/files/2020-12/an-b-0…

    中的Section 3.2 The DA14531 System。相信整个文档对于您供电方面的问题都会给出详细的解释。

    Br

    Martin

  • Hi,

    如果您的目的想通过软件来动态切换供电模式的话。

    我们不支持这种方式。

    Br

    Martin

  • 如果供电为1.2-1.65V,IO的输出高电平为1.2-1.65V,我应该采用什么模式才能正常启动,需要怎么设置呢?boost模式下好像只能到1.8V?