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低飽和タイプの保護部品について

Kijo
μPC2400Aシリーズなどは低飽和タイプでPNPトランジスタのコレクタが出力です。しかし、データシートで出力電圧が入力電圧よりも下がった時の保護用ダイオード追加を推奨してます。
NPNのエミッタ出力の場合はE-B間の逆バイアスで薄いベース領域に空乏層が広がり壊れてしまう懸念がありダイオードの挿入は理解できますが、低飽和タイプの場合にはそのダイオードの必要な理由が理解できません。
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  • 質問の趣旨が、、変わっていませんか？

    英文のデータシートを見ますと、件のダイオードの注釈に次のようにあります。

    Need for VO>VIN

    これが、５Vのような低い電圧の場合まで適用されるのはおかしいと言われるのであれば、最初の質問と趣旨が変わっていますね。

    ５Vから１８Vまで種類があるなかで、大部分の品種に推奨されるダイオードが書かれていると考えれば、仮に一部例外があったにしても特に不都合ではないと思いますが、いかがでしょうか？


    ５Vの場合も必要かどうかというのは、別の問題だと思います。
Reply
  • 質問の趣旨が、、変わっていませんか？

    英文のデータシートを見ますと、件のダイオードの注釈に次のようにあります。

    Need for VO>VIN

    これが、５Vのような低い電圧の場合まで適用されるのはおかしいと言われるのであれば、最初の質問と趣旨が変わっていますね。

    ５Vから１８Vまで種類があるなかで、大部分の品種に推奨されるダイオードが書かれていると考えれば、仮に一部例外があったにしても特に不都合ではないと思いますが、いかがでしょうか？


    ５Vの場合も必要かどうかというのは、別の問題だと思います。
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