ＨＥＷの外部フラッシュメモリ設定について（Ｅ１０Ａ＋Ｈ８ＳＸ１６５１）

このたび、１０年ぶりくらいに組み込みソフトを作成する事になりました。
が、さっそく行き詰まってしまい、どなたかご教授していただけますよう、お願いいたします。

過去に製作された開発ボードと開発機材（Ｅ１０Ａ＋ＨＥＷ）がありまして（製作者は不明です）、そのソフトを開発する事になりました。（残念ですが、ハード技術者はいませんし、当事者もおりません）

（完動する？）ＨＥＷプロジェクトは残っているのですが、外部フラッシュメモリの設定部分は残っておりません。

動作確認をしたのですが、フラッシュＲＯＭにプログラムを送り込まず（めず？）、フラッシュＲＯＭ上に残っている過去のプログラムが動いている確認に留まっています。（ＣＰＵの停止やリセットはＨＥＷからコントロールできます。）

そして質問なのですが、ＨＥＷでプロジェクトを起動した時に表示される、
「エミュレータモード選択」（デバイスはＨ８ＳＸ／１６５１を選択。外部フラッシュメモリを選択にチェック）
の後に続く、

「外部フラッシュメモリ設定」の設定値群はどのように設定したらよろしいでしょうか

乏しい知識で回路図等を見て調べて判った事は
・フラッシュＲＯＭ：ＭＸ２９ＧＬ２５６ＦＨＭＩ－９０Ｑ（２５６ＭＢｉｔ。ＪＥＤＥＣ準拠）
・ＷＰ＃／ＡＣＣ＝３．３Ｖ（ワードアクセスを指定？）
・ＣＰＵ：Ａ０端子がフラッシュＲＯＭ：Ａ１端子へ接続
・ＣＰＵ：Ｐ６０端子がフラッシュＲＯＭ：Ａ２３端子へ接続（プログラムからバンク切り替えを行なう？）
・ＣＰＵ：動作モード４
・ＣＰＵ：ＸＴＡＬへは１２．５ＭＨｚが入力されてます

気がかりなのが、バンク切り替えを制御するっぽい感じの設計になってますので、フラッシュＲＯＭでの書き込み方法も手間が必要かと想像してます。

どちらかというとフラッシュＲＯＭの質問でスレッド違いかもしれませんが、どなたかご教授してくださいますよう、よろしくお願いいたします。