先日、内蔵Flashの限界は今も昔も変わらないんでしょうね、という書き込みを目にしましたので、ふと思い付いて、ルネサスの内蔵Flashに関する記事のURLを幾つか集めてみました。現在のルネサスの内蔵Flashの種類は大別すると以下の2種類になるようです。(1) Silicon Storage Technology, Inc.からライセンスを受けたSuperFlash → RL78(2) Renesasの独自開発のSG-MONOS(Split-Gate Metal-Oxide Nitride Oxide Silicon) → RX/RH850このうち、SG-MONOSに関してはルネサス自身が広報していて簡単にウェブ上の記事が見つかりますので、それらのURLを集めてみました。世界初、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けてフィン構造MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功 - ルネサス 広報 2016/12/07~最先端高性能ロジックプロセスに組み込み可能な高信頼性の大容量混載フラッシュメモリ実現に目処~世界初、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を開発 - ルネサス 広報 2014/12/18~自動車用マイコン内蔵フラッシュメモリの大容量化を実現する28nmプロセス技術を確立~業界最先端車載用40nmフラッシュメモリ内蔵マイコン向けに高速読み出し動作、書換え回数の大幅増加を実現するフラッシュメモリ技術を開発 - ルネサス 広報 2013/03/13~業界最速の160MHzランダム・アクセス動作をTj=170℃で実証~業界初、40nmマイコン用フラッシュメモリを開発 - ルネサス 広報 2011/12/14~本フラッシュメモリ内蔵の車載マイコンを2012年初秋にサンプル出荷~16/14nmマイコンへの混載に向け:ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発 - EE Times Japan 2016/12/07プロセッサ/マイコン:ルネサス、28nm世代混載フラッシュ技術を改良――順調に進む次世代車載マイコン開発 - EE Times Japan 2015/02/25プロセッサ/マイコン:ルネサス、2018年に28nm世代フラッシュマイコンを製品化へ - EE Times Japan 2014/02/18First demonstration of FinFET split-gate MONOS for high-speed and highly-reliable embedded flash in 16/14nm-node and beyond - Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International 2016/12/3-7 (Abstract)
> 先日、内蔵Flashの限界は今も昔も変わらないんでしょうね、という書き込みを目にしましたので、
日立半導体歴史館というページの『1993年 フラッシュ内蔵マイコンの製品化 (日立) ~集積回路~』という記事にある
> 日立では最初のフラッシュ内蔵マイコンH8-538Fを1993年に市場導入した。この製品は産業・OA分野をターゲットにした16ビットマイコンであり、60KBのフラッシュメモリを内蔵していた。
を最初期のフラッシュメモリ内蔵マイコンと仮定してその型番を適当にぐぐるとデータシートが見つかりますが、それには
> ・Erase-program cycles > Flash memory contents can be erased and reprogrammed up to 100 times.
と書かれており、書き換え回数が 100回という仕様が普通だった時代は案外長かった感じですね。
NoMayさま NAKAといいます。 NoMayさまも書き込みは、いつも親身で具体的で有用で感謝してます。 こういった興味深く読めるものもあり、大好きです。 またいろいろご紹介してくださいね。
こんにちは、NoMaYです。ルネサスさんからMONOSフラッシュメモリの28nm RH850がリリースされたようです。同様の仕様のものを40nmでもラインナップするらしいのですが、まだまだ当面は歩留まりが向上しない見込みなのかな?世界初、28nmプロセスのフラッシュメモリ内蔵マイコンを発売 - ルネサス 広報 2018/03/27~Renesas autonomy™のエンドツーエンドのソリューションを根底から支える新世代の車載制御マイコン「RH850/E2xシリーズ」~たまたま同じ日にSilicon Storage Technology, Inc.のSuperFlash (こちらはRL78で使用されている)の記事をニュースサイトで見付けました。福田昭のストレージ通信(95) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(8):埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術 - EE Times Japan 2018/03/27ちなみに、随分昔にSilicon Storage Technology, Inc.はMicrochip社に買収されていて、別スレッドでMicrochip社の投資家向け資料(2018年3月1日付け)を見ていて気付いたのですが、ルネサス社のマイコン内蔵フラッシュメモリもMicrochip社の技術に依拠しています、みたいな書き方になっていました、、、March 2018 Investor and Analyst Day Presentation - Microchip 2018/03/01
NoMaYさん よく読むと、UMの端っこに こそっと 「 SuperFlashは,米国Silicon Storage Technology, Inc.の米国,日本などの国における登録商標です。 注意:本製品はSilicon Storage Technology, Inc.からライセンスを受けたSuperFlashを使用しています。」って書いてありますね^^
Kirinさん、こんにちは、NoMaYです。リプライ有難う御座います。つい先ほど、同じ場所に以下の文言が書かれていたことに気付きました。「EEPROMは,ルネサスエレクトロニクス株式会社の登録商標です。」滅茶苦茶びっくりしました、、、
Mooさん、こんにちは。NoMaYです。リプライ有難う御座います。どうにも気になってしまって、5年前の2013年2月にダウンロードしたハードウェアマニュアル(Rev.2.10 2012.09)やRL78の他品種のハードウェアマニュアルを見直してみたところ、同じく「EEPROMは,ルネサスエレクトロニクス株式会社の登録商標です。」と書かれていました。絶対に目に入っていたことがあった筈なのに全然気付きませんでした。人間の脳って不思議ですね、、、それから、特許庁の商標データベースでEEPROMとUV-EPROMを検索してみました。EEPROMは元々はNECが出願したものでした。UV-EPROMは出願されていませんでした。www.j-platpat.inpit.go.jp/web/all/top/BTmTopSearchPage.action商標検索結果の画面コピー商標公報の画面コピー