パワーMOS FET破壊時の特性

ルネサスを含む各社のアプリケーションノートやいくつかの書籍やインターネットを検索したのですがパワーMOS FET破壊時の特性の記述が見つかりません。社内のエキスパートは声を揃えてどのモードでもショート故障と言うのですが、ASO破壊の場合はショート故障を経由せずにオープン故障になるのではないかと思ってます。熱設計や組立に不具合が無いとの前提で、ASO故障の場合は、PN接合部での熱の集中は無く、また、配線の方が抵抗も高く耐熱性も低いと思うからです。弊社のエキスパートの言う通り、パワーMOS FETは、どの破壊モードでも最初はショートするのでしょうか?

相変わらず、職場からのかふぇルネへのアクセスは安定しません。十分に注意してますが誤字脱字の修正が困難です。また、質問しておきながらレスポンスの遅れ等が予想されます。ご了承ください。

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  • ちょっと検索してみましたところ、下記がありました、参考にならないかもしれませんが、
    「安全動作領域を超えて電圧・電流を印加し破壊させた高出力デバイスの熱暴走時、デバイス全体に急激にドレイン電流が流れるため、デバイス全体が破壊(熱溶解)する、各電極間はショートするが、電源容量の大きい電源を用いている場合は、ドレインワイヤが溶断し、ドレインがオープンとなる場合がある」。
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  • ちょっと検索してみましたところ、下記がありました、参考にならないかもしれませんが、
    「安全動作領域を超えて電圧・電流を印加し破壊させた高出力デバイスの熱暴走時、デバイス全体に急激にドレイン電流が流れるため、デバイス全体が破壊(熱溶解)する、各電極間はショートするが、電源容量の大きい電源を用いている場合は、ドレインワイヤが溶断し、ドレインがオープンとなる場合がある」。
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